창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-FDD3N50NZTM | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | FDD3N50NZ | |
PCN 설계/사양 | Description Chg 01/Apr/2016 | |
PCN 조립/원산지 | Wafer Fabrication 04/Feb/2013 | |
PCN 포장 | Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
계열 | UniFET-II™ | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 500V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 2.5A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 2.5옴 @ 1.25A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 8nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 280pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 40W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
공급 장치 패키지 | D-Pak | |
표준 포장 | 2,500 | |
다른 이름 | FDD3N50NZTM-ND FDD3N50NZTMTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | FDD3N50NZTM | |
관련 링크 | FDD3N, FDD3N50NZTM Datasheet, Fairchild Semiconductor Distributor |
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![]() | RG1005V-5110-D-T10 | RES SMD 511 OHM 0.5% 1/16W 0402 | RG1005V-5110-D-T10.pdf | |
![]() | CB5JB9R10 | RES 9.1 OHM 5W 5% CERAMIC WW | CB5JB9R10.pdf | |
![]() | Y006020K0000B0L | RES 20K OHM 1/4W 0.1% AXIAL | Y006020K0000B0L.pdf | |
![]() | P51-75-S-G-I36-20MA-000-000 | Pressure Sensor 75 PSI (517.11 kPa) Sealed Gauge Male - 1/8" (3.18mm) NPT 4 mA ~ 20 mA Cylinder | P51-75-S-G-I36-20MA-000-000.pdf | |
![]() | P51-75-G-F-I36-4.5OVP-000-000 | Pressure Sensor 75 PSI (517.11 kPa) Vented Gauge Male - 1/4" (6.35mm) NPT 0.5 V ~ 4.5 V Cylinder | P51-75-G-F-I36-4.5OVP-000-000.pdf |