창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-FDD8770 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | FDD8770 | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Switches for Power Processing | |
PCN 설계/사양 | Description Chg 01/Apr/2016 | |
카탈로그 페이지 | 1600 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
계열 | PowerTrench® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 25V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 35A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 4m옴 @ 35A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 73nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3720pF @ 13V | |
전력 - 최대 | 115W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
공급 장치 패키지 | D-Pak | |
표준 포장 | 2,500 | |
다른 이름 | FDD8770TR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | FDD8770 | |
관련 링크 | FDD, FDD8770 Datasheet, Fairchild Semiconductor Distributor |
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![]() | RL0402JR-070R12L | RES SMD 0.12 OHM 5% 1/16W 0402 | RL0402JR-070R12L.pdf | |
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![]() | RG1005N-623-W-T1 | RES SMD 62K OHM 0.05% 1/16W 0402 | RG1005N-623-W-T1.pdf | |
![]() | PHP00603E16R2BBT1 | RES SMD 16.2 OHM 0.1% 3/8W 0603 | PHP00603E16R2BBT1.pdf | |
![]() | RG2012V-912-W-T1 | RES SMD 9.1K OHM 0.05% 1/8W 0805 | RG2012V-912-W-T1.pdf | |
![]() | CP00105R600JB14 | RES 5.6 OHM 10W 5% AXIAL | CP00105R600JB14.pdf |