Fairchild Semiconductor FDFME2P823ZT
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- FDFME2P823ZT
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- Fairchild Semiconductor
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- FET - 단일
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- MOSFET P-CH 20V 2.6A 6MICROFET
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FDFME2P823ZT 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-FDFME2P823ZT | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | FDFME2P823ZT | |
| PCN 설계/사양 | Marking Content 19/Nov/2013 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
| 계열 | PowerTrench® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 다이오드(절연) | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 2.6A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 142m옴 @ 2.3A, 4.5V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 7.7nC(4.5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 405pF @ 10V | |
| 전력 - 최대 | 600mW | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 6-UMLP, 6-MicroFET™ | |
| 공급 장치 패키지 | 6-MicroFET(1.6x1.6) | |
| 표준 포장 | 5,000 | |
| 다른 이름 | FDFME2P823ZT-ND FDFME2P823ZTTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | FDFME2P823ZT | |
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