창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-FDG327N | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | FDG327N | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Switches for Power Processing | |
PCN 설계/사양 | Mold Compound 12/Dec/2007 Mold Compound 07/May/2008 | |
PCN 포장 | Binary Year Code Marking 15/Jan/2014 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
계열 | PowerTrench® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 1.5A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 90m옴 @ 1.5A, 4.5V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1.5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 6.3nC(4.5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 423pF @ 10V | |
전력 - 최대 | 380mW | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | |
공급 장치 패키지 | SC-70-6 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | FDG327N-ND FDG327NTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | FDG327N | |
관련 링크 | FDG, FDG327N Datasheet, Fairchild Semiconductor Distributor |
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![]() | RC2012J104CS | RES SMD 100K OHM 5% 1/8W 0805 | RC2012J104CS.pdf | |
![]() | KNP100JR-73-51R | RES 51 OHM 1W 5% AXIAL | KNP100JR-73-51R.pdf | |
![]() | CA000182R00KE66 | RES 82 OHM 1W 10% AXIAL | CA000182R00KE66.pdf | |
![]() | P51-2000-S-D-I36-4.5OVP-000-000 | Pressure Sensor 2000 PSI (13789.51 kPa) Sealed Gauge Male - 7/16" (11.11mm) UNF 0.5 V ~ 4.5 V Cylinder | P51-2000-S-D-I36-4.5OVP-000-000.pdf |