Fairchild Semiconductor FDG6308P
- 제조업체 부품 번호
- FDG6308P
- 제조업 자
- Fairchild Semiconductor
- 제품 카테고리
- FET - 어레이
- 간단한 설명
- MOSFET 2P-CH 20V 0.6A SC70-6
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
FDG6308P 가격 및 조달
가능 수량
7150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 193.03765
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of FDG6308P, we specialize in all series Fairchild Semiconductor electronic components. FDG6308P can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FDG6308P, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- FDG6308P 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
FDG6308P 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-FDG6308P | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | FDG6308P | |
| 제품 교육 모듈 | High Voltage Switches for Power Processing | |
| PCN 설계/사양 | Mold Compound 12/Dec/2007 Mold Compound 07/May/2008 | |
| PCN 포장 | Binary Year Code Marking 15/Jan/2014 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 어레이 | |
| 제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
| 계열 | PowerTrench® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | 2 P-Chan(이중) | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 600mA | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 400m옴 @ 600mA, 4.5V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1.5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 2.5nC(4.5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 153pF @ 10V | |
| 전력 - 최대 | 300mW | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | |
| 공급 장치 패키지 | SC-70-6 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | FDG6308P-ND FDG6308PTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | FDG6308P | |
| 관련 링크 | FDG6, FDG6308P Datasheet, Fairchild Semiconductor Distributor | |
FDG6308P 의 관련 제품
 | 30HV16B273KN | 0.027µF 3000V(3kV) 세라믹 커패시터 X7R 방사 0.820" L x 0.350" W(20.83mm x 8.89mm) | 30HV16B273KN.pdf | |
 | K331J10C0GH5TH5 | 330pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 방사 0.142" L x 0.091" W(3.60mm x 2.30mm) | K331J10C0GH5TH5.pdf | |
 | SR211A272JARTR1 | 2700pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 방사 0.200" L x 0.125" W(5.08mm x 3.18mm) | SR211A272JARTR1.pdf | |
 | SZ1SMB17AT3G | TVS DIODE 17VWM 27.6VC SMB | SZ1SMB17AT3G.pdf | |
 | BSP295H6327XTSA1 | MOSFET N-CH 60V 1.8A SOT223 | BSP295H6327XTSA1.pdf | |
 | DMG4N65CTI | MOSFET N-CH 650V 4A ITO-220AB | DMG4N65CTI.pdf | |
 | SDR0503-681KL | 680µH Unshielded Wirewound Inductor 140mA 7.5 Ohm Max Nonstandard | SDR0503-681KL.pdf | |
.jpg) | RT0603BRD07374KL | RES SMD 374K OHM 0.1% 1/10W 0603 | RT0603BRD07374KL.pdf | |
.jpg) | RT0805WRE0760K4L | RES SMD 60.4KOHM 0.05% 1/8W 0805 | RT0805WRE0760K4L.pdf | |
.jpg) | RT2512BKE073K65L | RES SMD 3.65K OHM 0.1% 3/4W 2512 | RT2512BKE073K65L.pdf | |
 | CMF5590K900BER6 | RES 90.9K OHM 1/2W .1% AXIAL | CMF5590K900BER6.pdf | |
| ATT-0550-30-35M-02 | RF Attenuator 30dB ±0.7dB 0Hz ~ 26.5GHz 2W 3.5mm In-Line Module | ATT-0550-30-35M-02.pdf |
