Fairchild Semiconductor FDG6335N

FDG6335N
제조업체 부품 번호
FDG6335N
제조업 자
제품 카테고리
FET - 어레이
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MOSFET 2N-CH 20V 0.7A SOT-363
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내부 부품 번호EIS-FDG6335N
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)In Production
지위New & Unused, Original Sealed
규격서FDG6335N
제품 교육 모듈High Voltage Switches for Power Processing
PCN 설계/사양Mold Compound 12/Dec/2007
Mold Compound 07/May/2008
PCN 포장Binary Year Code Marking 15/Jan/2014
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 어레이
제조업체Fairchild Semiconductor
계열PowerTrench®
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
FET 유형2 N-Chan(이중)
FET 특징논리 레벨 게이트
드레인 - 소스 전압(Vdss)20V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C700mA
Rds On(최대) @ Id, Vgs300m옴 @ 700mA, 4.5V
Id 기준 Vgs(th)(최대)1.5V @ 250µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs1.4nC(4.5V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds113pF @ 10V
전력 - 최대300mW
작동 온도-55°C ~ 150°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급 장치 패키지SC-70-6
표준 포장 3,000
다른 이름FDG6335N-ND
FDG6335NTR
Q1609797
무게0.001 KG
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대체 부품 (교체)FDG6335N
관련 링크FDG6, FDG6335N Datasheet, Fairchild Semiconductor Distributor
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