Fairchild Semiconductor FDI038AN06A0

FDI038AN06A0
제조업체 부품 번호
FDI038AN06A0
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
간단한 설명
MOSFET N-CH 60V 80A TO-262AB
Datesheet 다운로드
다운로드
FDI038AN06A0 가격 및 조달

가능 수량

1930 조각

배송 오늘


창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 2,250.26740
우리의 가격
Quote by Email

수량

 

We are the stock Distributor of FDI038AN06A0, we specialize in all series Fairchild Semiconductor electronic components. FDI038AN06A0 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FDI038AN06A0, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
FDI038AN06A0 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
FDI038AN06A0 매개 변수
내부 부품 번호EIS-FDI038AN06A0
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)In Production
지위New & Unused, Original Sealed
규격서FDI038AN06A0, FDP038AN06A0
제품 교육 모듈High Voltage Switches for Power Processing
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체Fairchild Semiconductor
계열PowerTrench®
포장튜브
부품 현황유효
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)60V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C17A(Ta), 80A(Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs3.8m옴 @ 80A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)4V @ 250µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs124nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds6400pF @ 25V
전력 - 최대310W
작동 온도-55°C ~ 175°C(TJ)
실장 유형스루홀
패키지/케이스TO-262-3, 긴 리드(Lead), I²Pak, TO-262AA
공급 장치 패키지I2PAK(TO-262)
표준 포장 50
무게0.001 KG
신청Email for details
대체 부품 (교체)FDI038AN06A0
관련 링크FDI038, FDI038AN06A0 Datasheet, Fairchild Semiconductor Distributor
FDI038AN06A0 의 관련 제품
330µF 80V Aluminum Capacitors Radial, Can 10000 Hrs @ 105°C 80ZLJ330M16X20.pdf
22µF 63V Aluminum Capacitors Radial, Can 2000 Hrs @ 105°C UPW1J220MED1TA.pdf
1200µF 6.3V Aluminum Capacitors Radial, Can 3000 Hrs @ 125°C MAL214033122E3.pdf
56pF 500V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 방사형, 디스크 0.335" Dia(8.50mm) D560J33C0GL6UJ5R.pdf
0.016µF Film Capacitor 300V 850V Polypropylene (PP), Metallized Radial 0.492" L x 0.236" W (12.50mm x 6.00mm) MKP385316085JDM2B0.pdf
15µF Conformal Coated Tantalum Capacitors 6.3V 2910 (7227 Metric) 1 Ohm 0.285" L x 0.104" W (7.24mm x 2.65mm) T95X156M6R3ESAL.pdf
14.31818MHz ±30ppm 수정 16pF 50옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD 445I35C14M31818.pdf
MOSFET N-CH 250V 64A TO-3P IXTQ64N25P.pdf
RES SMD 3.6K OHM 5% 1W 2512 CRCW25123K60JNTG.pdf
RES SMD 205 OHM 1% 3/4W 1812 ERJ-S12F2050U.pdf
RES SMD 3.4K OHM 0.1% 3/4W 2512 RT2512BKE073K4L.pdf
RES 4.7 OHM 2W 5% AXIAL RSF200JB-73-4R7.pdf