Fairchild Semiconductor FDMA2002NZ

FDMA2002NZ
제조업체 부품 번호
FDMA2002NZ
제조업 자
제품 카테고리
FET - 어레이
간단한 설명
MOSFET 2N-CH 30V 2.9A 6-MICROFET
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내부 부품 번호EIS-FDMA2002NZ
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)In Production
지위New & Unused, Original Sealed
규격서FDMA2002NZ
제품 교육 모듈High Voltage Switches for Power Processing
PCN 설계/사양Marking Content 19/Nov/2013
카탈로그 페이지 1604 (KR2011-KO PDF)
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 어레이
제조업체Fairchild Semiconductor
계열PowerTrench®
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
FET 유형2 N-Chan(이중)
FET 특징논리 레벨 게이트
드레인 - 소스 전압(Vdss)30V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C2.9A
Rds On(최대) @ Id, Vgs123m옴 @ 2.9A, 4.5V
Id 기준 Vgs(th)(최대)1.5V @ 250µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs3nC(4.5V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds220pF @ 15V
전력 - 최대650mW
작동 온도-55°C ~ 150°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스6-WDFN 노출형 패드
공급 장치 패키지6-MicroFET(2x2)
표준 포장 3,000
다른 이름FDMA2002NZTR
무게0.001 KG
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대체 부품 (교체)FDMA2002NZ
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