창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-FDMA291P | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | FDMA291P | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Switches for Power Processing | |
PCN 설계/사양 | Marking Content 19/Nov/2013 | |
카탈로그 페이지 | 1604 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
계열 | PowerTrench® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트, 1.8V 구동 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 6.6A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 42m옴 @ 6.6A, 4.5V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 14nC(4.5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1000pF @ 10V | |
전력 - 최대 | 900mW | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 6-WDFN 노출형 패드 | |
공급 장치 패키지 | 6-MicroFET(2x2) | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | FDMA291PTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | FDMA291P | |
관련 링크 | FDMA, FDMA291P Datasheet, Fairchild Semiconductor Distributor |
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![]() | ECJ-2VC1H561J | 560pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | ECJ-2VC1H561J.pdf | |
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![]() | BFC237945914 | 0.91µF Film Capacitor 160V 250V Polypropylene (PP), Metallized Radial 1.024" L x 0.276" W (26.00mm x 7.00mm) | BFC237945914.pdf | |
![]() | 594D108X06W3R2T | 1000µF Conformal Coated Tantalum Capacitors 6.3V 2824 (7260 Metric) 30 mOhm 0.283" L x 0.236" W (7.20mm x 6.00mm) | 594D108X06W3R2T.pdf | |
![]() | 4564R-821K | 820µH Unshielded Inductor 200mA 6 Ohm Max Radial | 4564R-821K.pdf | |
![]() | RT1210FRD07140RL | RES SMD 140 OHM 1% 1/4W 1210 | RT1210FRD07140RL.pdf | |
![]() | PE2010DKF7W0R005L | RES SMD 0.005 OHM 0.5% 1W 2010 | PE2010DKF7W0R005L.pdf | |
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