Fairchild Semiconductor FDMA86108LZ

FDMA86108LZ
제조업체 부품 번호
FDMA86108LZ
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
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MOSFET N-CH 100V 2.2A 6MLP
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내부 부품 번호EIS-FDMA86108LZ
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)In Production
지위New & Unused, Original Sealed
규격서FDMA86108LZ
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체Fairchild Semiconductor
계열PowerTrench®
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)100V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C2.2A(Ta)
Rds On(최대) @ Id, Vgs243m옴 @ 2.2A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)3V @ 250µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs3nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds163pF @ 50V
전력 - 최대2.4W
작동 온도-55°C ~ 150°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스6-WDFN 노출형 패드
공급 장치 패키지6-MicroFET(2x2)
표준 포장 3,000
다른 이름FDMA86108LZTR
무게0.001 KG
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대체 부품 (교체)FDMA86108LZ
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