창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-FDMC86102LZ | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | FDMC86102LZ | |
PCN 설계/사양 | Drain-Source 22/Jun/2016 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
계열 | PowerTrench® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 7A(Ta), 18A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 24m옴 @ 6.5A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.2V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 22nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1290pF @ 50V | |
전력 - 최대 | 2.3W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-전력WDFN | |
공급 장치 패키지 | 8-MLP(3.3x3.3), Power33 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | FDMC86102LZ-ND FDMC86102LZTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | FDMC86102LZ | |
관련 링크 | FDMC8, FDMC86102LZ Datasheet, Fairchild Semiconductor Distributor |
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![]() | MBB02070C4758FRP00 | RES 4.75 OHM 0.6W 1% AXIAL | MBB02070C4758FRP00.pdf | |
![]() | CMF5556K200DHEB | RES 56.2K OHM 1/2W .5% AXIAL | CMF5556K200DHEB.pdf | |
![]() | H429R4BYA | RES 29.4 OHM 1/2W 0.1% AXIAL | H429R4BYA.pdf | |
![]() | ERT-J0EP473J | NTC Thermistor 47k 0402 (1005 Metric) | ERT-J0EP473J.pdf |