Fairchild Semiconductor FDMC86102LZ

FDMC86102LZ
제조업체 부품 번호
FDMC86102LZ
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
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MOSFET N-CH 100V 7A 8MLP
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내부 부품 번호EIS-FDMC86102LZ
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)In Production
지위New & Unused, Original Sealed
규격서FDMC86102LZ
PCN 설계/사양Drain-Source 22/Jun/2016
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체Fairchild Semiconductor
계열PowerTrench®
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징논리 레벨 게이트
드레인 - 소스 전압(Vdss)100V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C7A(Ta), 18A(Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs24m옴 @ 6.5A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)2.2V @ 250µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs22nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds1290pF @ 50V
전력 - 최대2.3W
작동 온도-55°C ~ 150°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스8-전력WDFN
공급 장치 패키지8-MLP(3.3x3.3), Power33
표준 포장 3,000
다른 이름FDMC86102LZ-ND
FDMC86102LZTR
무게0.001 KG
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대체 부품 (교체)FDMC86102LZ
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