창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-FDMS2672 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | FDMS2672 | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Switches for Power Processing | |
주요제품 | Cloud Systems Computing Mid- and Low-Voltage MOSFETs | |
PCN 설계/사양 | FDMSx Wire Bond Material 22/Aug/2007 FDMS2672 Product Spec Update 16/Nov/2015 | |
카탈로그 페이지 | 1604 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
계열 | UltraFET™ | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 200V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 3.7A(Ta), 20A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 77m옴 @ 3.7A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 42nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2315pF @ 100V | |
전력 - 최대 | 2.5W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-MLP, 전력56 | |
공급 장치 패키지 | Power56 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | FDMS2672TR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | FDMS2672 | |
관련 링크 | FDMS, FDMS2672 Datasheet, Fairchild Semiconductor Distributor |
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C1608C0G1H030B | 3pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | C1608C0G1H030B.pdf | ||
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CPDZ9V0U-HF | TVS DIODE 9VWM 17.5VC 0201 | CPDZ9V0U-HF.pdf | ||
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TNPW040249R9BETD | RES SMD 49.9 OHM 0.1% 1/16W 0402 | TNPW040249R9BETD.pdf | ||
EXB-28V820JX | RES ARRAY 4 RES 82 OHM 0804 | EXB-28V820JX.pdf | ||
HMC907 | RF Amplifier IC VSAT 200MHz ~ 22GHz Die | HMC907.pdf |