Fairchild Semiconductor FDMS86101DC

FDMS86101DC
제조업체 부품 번호
FDMS86101DC
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
간단한 설명
MOSFET N-CH 100V 14.5A 8-PQFN
Datesheet 다운로드
다운로드
FDMS86101DC 가격 및 조달

가능 수량

1150 조각

배송 오늘


창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 1,772.77353
우리의 가격
Quote by Email

수량

 

We are the stock Distributor of FDMS86101DC, we specialize in all series Fairchild Semiconductor electronic components. FDMS86101DC can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FDMS86101DC, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
FDMS86101DC 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
FDMS86101DC 매개 변수
내부 부품 번호EIS-FDMS86101DC
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)In Production
지위New & Unused, Original Sealed
규격서FDMS86101DC
주요제품Cloud Systems Computing
Mid- and Low-Voltage MOSFETs
PCN 조립/원산지Wafer 6/8 Inch Addition 16/Jun/2014
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체Fairchild Semiconductor
계열Dual Cool™, PowerTrench®
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)100V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C14.5A(Ta), 60A(Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs7.5m옴 @ 14.5A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)4V @ 250µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs44nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds3135pF @ 50V
전력 - 최대3.2W
작동 온도-55°C ~ 150°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스8-전력TDFN
공급 장치 패키지8-PQFN(5x6), Power56
표준 포장 3,000
다른 이름FDMS86101DC-ND
FDMS86101DCTR
무게0.001 KG
신청Email for details
대체 부품 (교체)FDMS86101DC
관련 링크FDMS8, FDMS86101DC Datasheet, Fairchild Semiconductor Distributor
FDMS86101DC 의 관련 제품
820pF 100V 세라믹 커패시터 X7R 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) 08051C821K4T2A.pdf
1µF 10V 세라믹 커패시터 X5R 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) C2012X5R1A105K/10.pdf
6.8pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.040" L x 0.020" W(1.02mm x 0.51mm) VJ0402D6R8BLAAC.pdf
0.60pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0201(0603 미터법) 0.024" L x 0.012" W(0.60mm x 0.30mm) GRM0335C1HR60WD01D.pdf
TVS DIODE 26VWM 43VC PLAD MPLAD30KP26AE3.pdf
TRANS NPN 100V 0.02A SMINI3 DSC5C01R0L.pdf
TRANS PNP 12V 0.5A SSSMINI-3 2SA216200L.pdf
39mH Unshielded Molded Inductor 23mA 295 Ohm Max Radial 2534-62H.pdf
RES SMD 1 OHM 1% 1W 2515 WSC25151R000FEA.pdf
RES SMD 13.3 OHM 0.5% 1/4W 1210 RT1210DRD0713R3L.pdf
RES 511K OHM 1/2W 1% AXIAL RNF12FTC511K.pdf
Pressure Sensor ±150 PSI (±1034.21 kPa) Differential 0 mV ~ 92.5 mV (5V) 4-SIP Module TSCSSNN150PDUCV.pdf