Fairchild Semiconductor FDMS86104
- 제조업체 부품 번호
- FDMS86104
- 제조업 자
- Fairchild Semiconductor
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 100V 7A POWER56
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
FDMS86104 가격 및 조달
가능 수량
7150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 993.35808
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of FDMS86104, we specialize in all series Fairchild Semiconductor electronic components. FDMS86104 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FDMS86104, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- FDMS86104 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
FDMS86104 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-FDMS86104 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | FDMS86104 | |
| 주요제품 | Cloud Systems Computing Mid- and Low-Voltage MOSFETs | |
| PCN 조립/원산지 | Wafer 6/8 Inch Addition 16/Jun/2014 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
| 계열 | PowerTrench® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 7A(Ta), 16A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 24m옴 @ 7A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 16nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 923pF @ 50V | |
| 전력 - 최대 | 2.5W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-전력TDFN | |
| 공급 장치 패키지 | Power56 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | FDMS86104TR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | FDMS86104 | |
| 관련 링크 | FDMS, FDMS86104 Datasheet, Fairchild Semiconductor Distributor | |
FDMS86104 의 관련 제품
 | 380LX271M350A022 | 270µF 350V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In 737 mOhm @ 120Hz 3000 Hrs @ 85°C | 380LX271M350A022.pdf | |
 | VJ1206A150JXRAT5ZL | 15pF 1500V(1.5kV) 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1206(3216 미터법) 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) | VJ1206A150JXRAT5ZL.pdf | |
 | ABM7-12.288MHZ-D2Y-T | 12.288MHz ±20ppm 수정 18pF 60옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD, 무연(DFN, LCC) | ABM7-12.288MHZ-D2Y-T.pdf | |
 | MM5Z24V | DIODE ZENER 24V 200MW SOD523F | MM5Z24V.pdf | |
 | A2I08H040GNR1 | IC RF LDMOS AMP | A2I08H040GNR1.pdf | |
,-SC-63.jpg) | FQD5P20TM | MOSFET P-CH 200V 3.7A DPAK | FQD5P20TM.pdf | |
 | VLF3012ST-2R2M1R4 | 2.2µH Shielded Wirewound Inductor 1.4A 72 mOhm Max Nonstandard | VLF3012ST-2R2M1R4.pdf | |
 | PA0390.473NLT | 48µH Unshielded Wirewound Inductor 720mA 474 mOhm Max Nonstandard | PA0390.473NLT.pdf | |
| 105R-682H | 6.8µH Unshielded Inductor 160mA 3.8 Ohm Max 2-SMD | 105R-682H.pdf | |
 | RMCF1206FG12K7 | RES SMD 12.7K OHM 1% 1/4W 1206 | RMCF1206FG12K7.pdf | |
.jpg) | RT0603WRC076K98L | RES SMD 6.98K OHM 1/10W 0603 | RT0603WRC076K98L.pdf | |
| Y14537K50400F0L | RES 7.504K OHM 0.6W 1% RADIAL | Y14537K50400F0L.pdf |
