창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-FDMS86163P | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | FDMS86163P | |
주요제품 | Cloud Systems Computing | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
계열 | PowerTrench® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 7.9A(Ta), 50A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 22m옴 @ 7.9A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 59nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 4085pF @ 50V | |
전력 - 최대 | 2.5W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-전력TDFN | |
공급 장치 패키지 | 8-PQFN(5x6), Power56 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | FDMS86163PTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | FDMS86163P | |
관련 링크 | FDMS8, FDMS86163P Datasheet, Fairchild Semiconductor Distributor |
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![]() | 8Z-38.400MEEQ-T | 38.4MHz ±10ppm 수정 10pF 60옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 8Z-38.400MEEQ-T.pdf | |
![]() | RMCF1206FT2R10 | RES SMD 2.1 OHM 1% 1/4W 1206 | RMCF1206FT2R10.pdf | |
![]() | RG1608N-182-D-T5 | RES SMD 1.8K OHM 0.5% 1/10W 0603 | RG1608N-182-D-T5.pdf | |
![]() | CMF55167K00BEEB | RES 167K OHM 1/2W 0.1% AXIAL | CMF55167K00BEEB.pdf | |
![]() | CMF701K8200FKBF | RES 1.82K OHM 1.75W 1% AXIAL | CMF701K8200FKBF.pdf | |
![]() | Y0058825R000B9L | RES 825 OHM 0.3W 0.1% AXIAL | Y0058825R000B9L.pdf | |
![]() | RI-I11-110A-01 | RFID Tag Read/Write 256b (User) Memory 13.56MHz Inlay | RI-I11-110A-01.pdf |