Fairchild Semiconductor FDMS86300
- 제조업체 부품 번호
- FDMS86300
- 제조업 자
- Fairchild Semiconductor
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 80V 19A POWER56
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
FDMS86300 가격 및 조달
가능 수량
10150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 1,111.96800
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of FDMS86300, we specialize in all series Fairchild Semiconductor electronic components. FDMS86300 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FDMS86300, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- FDMS86300 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
FDMS86300 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-FDMS86300 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | FDMS86300 | |
| 주요제품 | Cloud Systems Computing Mid- and Low-Voltage MOSFETs | |
| PCN 조립/원산지 | Wafer Fab Transfer 29/Sep/2014 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
| 계열 | PowerTrench® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 80V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 19A(Ta), 80A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 3.9m옴 @ 19A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4.5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 86nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 7082pF @ 40V | |
| 전력 - 최대 | 2.5W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-전력TDFN | |
| 공급 장치 패키지 | 8-PQFN(5x6), Power56 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | FDMS86300TR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | FDMS86300 | |
| 관련 링크 | FDMS, FDMS86300 Datasheet, Fairchild Semiconductor Distributor | |
FDMS86300 의 관련 제품
 | PLE0G681MDO1 | 680µF 4V Aluminum - Polymer Capacitors Radial, Can 5 mOhm 2000 Hrs @ 105°C | PLE0G681MDO1.pdf | |
 | 06031J0R4BAWTR | 0.40pF Thin Film Capacitor 100V 0603 (1608 Metric) 0.063" L x 0.032" W (1.60mm x 0.81mm) | 06031J0R4BAWTR.pdf | |
 | AT-7.500MDGL-T | 7.5MHz ±20ppm 수정 22pF 120옴 -40°C ~ 85°C AEC-Q200 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | AT-7.500MDGL-T.pdf | |
 | SIDC04D60F6 | DIODE GEN PURP 600V 9A WAFER | SIDC04D60F6.pdf | |
,-SC-63.jpg) | IRFR430ATRPBF | MOSFET N-CH 500V 5A DPAK | IRFR430ATRPBF.pdf | |
 | LGJ10145TS-150M2R2-H | 15µH Shielded Wirewound Inductor 2.2A 47.2 mOhm 2-SMD | LGJ10145TS-150M2R2-H.pdf | |
 | ERA-6AEB1004V | RES SMD 1M OHM 0.1% 1/8W 0805 | ERA-6AEB1004V.pdf | |
 | RG1005R-30R1-D-T10 | RES SMD 30.1 OHM 0.5% 1/16W 0402 | RG1005R-30R1-D-T10.pdf | |
| Y149647R5000B0W | RES SMD 47.5 OHM 0.1% 0.15W 1206 | Y149647R5000B0W.pdf | |
 | 4610X-102-181LF | RES ARRAY 5 RES 180 OHM 10SIP | 4610X-102-181LF.pdf | |
 | PSM900JB-180R | RES 180 OHM 9W 5% RADIAL | PSM900JB-180R.pdf | |
| 95J22R | RES 22 OHM 5W 5% AXIAL | 95J22R.pdf |
