창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-FDMS8670S | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | FDMS8670S | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Switches for Power Processing | |
주요제품 | Cloud Systems Computing Mid- and Low-Voltage MOSFETs | |
PCN 설계/사양 | Plating Material 13/June/2007 Materials 14/Apr/2009 | |
카탈로그 페이지 | 1604 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
계열 | PowerTrench®, SyncFET™ | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 20A(Ta), 42A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 3.5m옴 @ 20A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3V @ 1mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 73nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 4000pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 2.5W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-전력TDFN | |
공급 장치 패키지 | 8-PQFN(5x6), Power56 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | FDMS8670STR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | FDMS8670S | |
관련 링크 | FDMS, FDMS8670S Datasheet, Fairchild Semiconductor Distributor |
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![]() | TNPW2010274RBETY | RES SMD 274 OHM 0.1% 0.4W 2010 | TNPW2010274RBETY.pdf | |
![]() | MBB02070C2051FC100 | RES 2.05K OHM 0.6W 1% AXIAL | MBB02070C2051FC100.pdf | |
![]() | CMF60100R00BHBF70 | RES 100 OHM 1W .1% AXIAL | CMF60100R00BHBF70.pdf | |
![]() | NPI-19A-201GH | Pressure Sensor 29.01 PSI (200 kPa) Vented Gauge 0 mV ~ 100 mV Cylinder | NPI-19A-201GH.pdf | |
![]() | P51-15-A-H-MD-4.5V-000-000 | Pressure Sensor 15 PSI (103.42 kPa) Absolute Male - M12 x 1.5 0.5 V ~ 4.5 V Cylinder | P51-15-A-H-MD-4.5V-000-000.pdf |