창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-FDN336P | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | FDN336P Molded Pkg, SUPERSOT, 3 Lead Drawing | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Switches for Power Processing | |
PCN 설계/사양 | Mold Compound 08/April/2008 | |
PCN 포장 | Binary Year Code Marking 15/Jan/2014 | |
카탈로그 페이지 | 1597 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
계열 | PowerTrench® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트, 2.5V 구동 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 1.3A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 200m옴 @ 1.3A, 4.5V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1.5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 5nC(4.5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 330pF @ 10V | |
전력 - 최대 | 460mW | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
공급 장치 패키지 | SuperSOT-3 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | FDN336PTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | FDN336P | |
관련 링크 | FDN, FDN336P Datasheet, Fairchild Semiconductor Distributor |
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![]() | RT1210WRD078K45L | RES SMD 8.45KOHM 0.05% 1/4W 1210 | RT1210WRD078K45L.pdf | |
![]() | TNPU1206620RBZEN00 | RES SMD 620 OHM 0.1% 1/4W 1206 | TNPU1206620RBZEN00.pdf | |
![]() | 805-0500-01 | Accelerometer Z Axis ±500g 0.3Hz ~ 12kHz TO-5 | 805-0500-01.pdf |