Fairchild Semiconductor FDN358P
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- FDN358P
- 제조업 자
- Fairchild Semiconductor
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- FET - 단일
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- MOSFET P-CH 30V 1.5A SSOT3
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FDN358P 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-FDN358P | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | FDN358P Molded Pkg, SUPERSOT, 3 Lead Drawing | |
| 제품 교육 모듈 | High Voltage Switches for Power Processing | |
| PCN 설계/사양 | Mold Compound 08/April/2008 | |
| PCN 포장 | Binary Year Code Marking 15/Jan/2014 | |
| 카탈로그 페이지 | 1597 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
| 계열 | PowerTrench® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 1.5A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 125m옴 @ 1.5A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 5.6nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 182pF @ 15V | |
| 전력 - 최대 | 460mW | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| 공급 장치 패키지 | SuperSOT-3 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | FDN358PTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | FDN358P | |
| 관련 링크 | FDN, FDN358P Datasheet, Fairchild Semiconductor Distributor | |
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