창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-FDN360P | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | FDN360P Molded Pkg, SUPERSOT, 3 Lead Drawing | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Switches for Power Processing | |
PCN 설계/사양 | Mold Compound 08/April/2008 | |
PCN 포장 | Binary Year Code Marking 15/Jan/2014 | |
카탈로그 페이지 | 1597 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
계열 | PowerTrench® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 2A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 80m옴 @ 2A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 9nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 298pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 460mW | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
공급 장치 패키지 | SuperSOT-3 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | FDN360PTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | FDN360P | |
관련 링크 | FDN, FDN360P Datasheet, Fairchild Semiconductor Distributor |
![]() | 381LQ391M200H012 | 390µF 200V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In 510 mOhm @ 120Hz 2000 Hrs @ 105°C | 381LQ391M200H012.pdf | |
![]() | MAL210216103E3 | 10000µF 400V Aluminum Capacitors Radial, Can - Screw Terminals 14 mOhm @ 100Hz 10000 Hrs @ 85°C | MAL210216103E3.pdf | |
![]() | C0603C339K1GALTU | 3.3pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | C0603C339K1GALTU.pdf | |
![]() | 1812AA222JAT1AJ | 2200pF 1000V(1kV) 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1812(4532 미터법) 0.177" L x 0.126" W(4.50mm x 3.20mm) | 1812AA222JAT1AJ.pdf | |
![]() | MKP385243160JD02W0 | 4300pF Film Capacitor 550V 1600V (1.6kV) Polypropylene (PP), Metallized Radial 0.492" L x 0.197" W (12.50mm x 5.00mm) | MKP385243160JD02W0.pdf | |
TSM4D887M010AH6410D493 | 880µF Molded Tantalum Capacitors 10V Stacked SMD, 4 J-Lead 125 mOhm 0.315" L x 0.350" W (8.00mm x 8.90mm) | TSM4D887M010AH6410D493.pdf | ||
![]() | 402F27022ILR | 27MHz ±20ppm 수정 12pF 200옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 402F27022ILR.pdf | |
![]() | FA-238V 12.0000MA20V-W0 | 12MHz ±20ppm 수정 12pF 100옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | FA-238V 12.0000MA20V-W0.pdf | |
![]() | PD3S160Q-7 | DIODE SCHOTTKY 60V 1A POWERDI323 | PD3S160Q-7.pdf | |
![]() | ERJ-S14F5102U | RES SMD 51K OHM 1% 1/2W 1210 | ERJ-S14F5102U.pdf | |
![]() | TNPU060382K0AZEN00 | RES SMD 82K OHM 0.05% 1/10W 0603 | TNPU060382K0AZEN00.pdf | |
![]() | RSF1GBR120 | RES MO 1W 0.12 OHM 2% AXIAL | RSF1GBR120.pdf |