Fairchild Semiconductor FDN361BN
- 제조업체 부품 번호
- FDN361BN
- 제조업 자
- Fairchild Semiconductor
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 30V 1.4A SSOT3
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
FDN361BN 가격 및 조달
가능 수량
7150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 185.32800
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of FDN361BN, we specialize in all series Fairchild Semiconductor electronic components. FDN361BN can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FDN361BN, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- FDN361BN 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
FDN361BN 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-FDN361BN | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | FDN361BN Molded Pkg, SUPERSOT, 3 Lead Drawing | |
| PCN 설계/사양 | Mold Compound 08/April/2008 | |
| PCN 포장 | Binary Year Code Marking 15/Jan/2014 | |
| 카탈로그 페이지 | 1597 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
| 계열 | PowerTrench® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 1.4A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 110m옴 @ 1.4A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 1.8nC(4.5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 193pF @ 15V | |
| 전력 - 최대 | 460mW | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| 공급 장치 패키지 | SuperSOT-3 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | FDN361BNTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | FDN361BN | |
| 관련 링크 | FDN3, FDN361BN Datasheet, Fairchild Semiconductor Distributor | |
FDN361BN 의 관련 제품
 | ESRE331M02R | 330µF 2V Aluminum - Polymer Capacitors 2917 (7343 Metric) 12 mOhm 1000 Hrs @ 105°C | ESRE331M02R.pdf | |
 | UUG1A103MRQ1ZD | 10000µF 10V Aluminum Capacitors Radial, Can - SMD 2000 Hrs @ 85°C | UUG1A103MRQ1ZD.pdf | |
 | VJ1812A103KBCAT4X | 10000pF 200V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1812(4532 미터법) 0.183" L x 0.126" W(4.65mm x 3.20mm) | VJ1812A103KBCAT4X.pdf | |
.jpg) | 2220WC332KAT1A | 3300pF 2500V(2.5kV) 세라믹 커패시터 X7R 2220(5750 미터법) 0.224" L x 0.197" W(5.70mm x 5.00mm) | 2220WC332KAT1A.pdf | |
| UP050SL120J-KEC | 12pF 50V 세라믹 커패시터 SL 축방향 0.087" Dia x 0.126" L(2.20mm x 3.20mm) | UP050SL120J-KEC.pdf | |
 | QYX1H563KTP | 0.056µF Film Capacitor 50V Polyester Radial 0.295" L x 0.177" W (7.50mm x 4.50mm) | QYX1H563KTP.pdf | |
 | SMAJ10CAHE3/61 | TVS DIODE 10VWM 17VC SMA | SMAJ10CAHE3/61.pdf | |
 | SMC3K26CA-M3/57 | TVS DIODE 26VWM 42.1VC DO-214AB | SMC3K26CA-M3/57.pdf | |
 | 4590R-395K | 3.9mH Unshielded Wirewound Inductor 480mA 2.84 Ohm Max Axial | 4590R-395K.pdf | |
 | MLG1005S9N1HTD25 | 9.1nH Unshielded Multilayer Inductor 500mA 300 mOhm Max 0402 (1005 Metric) | MLG1005S9N1HTD25.pdf | |
| 7022SB | RELAY TIME DELAY | 7022SB.pdf | |
 | ESR10EZPJ5R1 | RES SMD 5.1 OHM 5% 0.4W 0805 | ESR10EZPJ5R1.pdf |
