Fairchild Semiconductor FDN5618P
- 제조업체 부품 번호
- FDN5618P
- 제조업 자
- Fairchild Semiconductor
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET P-CH 60V 1.25A SSOT3
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
FDN5618P 가격 및 조달
가능 수량
4150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 156.86162
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of FDN5618P, we specialize in all series Fairchild Semiconductor electronic components. FDN5618P can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FDN5618P, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- FDN5618P 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
FDN5618P 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-FDN5618P | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | FDN5618P Molded Pkg, SUPERSOT, 3 Lead Drawing | |
| 제품 교육 모듈 | High Voltage Switches for Power Processing | |
| PCN 설계/사양 | Wire Bonding 07/Nov/2008 Mold Compound 08/April/2008 | |
| PCN 포장 | Binary Year Code Marking 15/Jan/2014 | |
| 카탈로그 페이지 | 1597 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
| 계열 | PowerTrench® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 1.25A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 170m옴 @ 1.25A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 13.8nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 430pF @ 30V | |
| 전력 - 최대 | 460mW | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| 공급 장치 패키지 | SuperSOT-3 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | FDN5618PTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | FDN5618P | |
| 관련 링크 | FDN5, FDN5618P Datasheet, Fairchild Semiconductor Distributor | |
FDN5618P 의 관련 제품
 | 25ZLH2200MEFC12.5X30 | 2200µF 25V Aluminum Capacitors Radial, Can 10000 Hrs @ 105°C | 25ZLH2200MEFC12.5X30.pdf | |
 | 107LBA450M2BD | ELECTROLYTIC | 107LBA450M2BD.pdf | |
 | 06035C333JAT2A | 0.033µF 50V 세라믹 커패시터 X7R 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.032" W(1.60mm x 0.81mm) | 06035C333JAT2A.pdf | |
-5.jpg) | CL05B103KB5VPNC | 10000pF 50V 세라믹 커패시터 X7R 0402(1005 미터법) 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) | CL05B103KB5VPNC.pdf | |
| C907U360JYSDBA7317 | 36pF 400VAC 세라믹 커패시터 SL 방사형, 디스크 0.276" Dia(7.00mm) | C907U360JYSDBA7317.pdf | |
| HBK271MBBCB0KR | 270pF 2000V(2kV) 세라믹 커패시터 방사형, 디스크 0.276" Dia(7.00mm) | HBK271MBBCB0KR.pdf | |
| MKT1818315255G | 0.015µF Film Capacitor 160V 250V Polyester, Metallized Radial 0.394" L x 0.098" W (10.00mm x 2.50mm) | MKT1818315255G.pdf | |
| F17103151044 | 0.015µF Film Capacitor 300V Polypropylene (PP) Radial | F17103151044.pdf | |
 | ASFL1-40.000MHZ-ER-T | 40MHz HCMOS, TTL XO (Standard) Oscillator Surface Mount 3.3V 45mA Enable/Disable | ASFL1-40.000MHZ-ER-T.pdf | |
 | NLFV32T-681K-EFT | 680µH Shielded Wirewound Inductor 25mA 22.2 Ohm Max Nonstandard | NLFV32T-681K-EFT.pdf | |
 | RG1608P-3740-B-T5 | RES SMD 374 OHM 0.1% 1/10W 0603 | RG1608P-3740-B-T5.pdf | |
.jpg) | RT0805CRD0752K3L | RES SMD 52.3KOHM 0.25% 1/8W 0805 | RT0805CRD0752K3L.pdf |
