창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-FDN5630 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | FDN5630 Molded Pkg, SUPERSOT, 3 Lead Drawing | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Switches for Power Processing | |
PCN 설계/사양 | Wire Bonding 07/Nov/2008 Mold Compound 08/April/2008 Data Sheet Rev 01/Sep/2015 | |
PCN 포장 | Binary Year Code Marking 15/Jan/2014 | |
카탈로그 페이지 | 1597 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
계열 | PowerTrench® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 1.7A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 100m옴 @ 1.7A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 10nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 400pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 460mW | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
공급 장치 패키지 | SuperSOT-3 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | FDN5630TR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | FDN5630 | |
관련 링크 | FDN, FDN5630 Datasheet, Fairchild Semiconductor Distributor |
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![]() | CN1210K11G | VARISTOR 18V 400A 1210 | CN1210K11G.pdf | |
![]() | FXO-PC735R-30 | 30MHz LVPECL XO (Standard) Oscillator Surface Mount 3.3V 120mA Enable/Disable | FXO-PC735R-30.pdf | |
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![]() | 2512R-102G | 1µH Unshielded Inductor 1.64A 150 mOhm Max 2-SMD | 2512R-102G.pdf | |
![]() | RCP2512B1K00JEB | RES SMD 1K OHM 5% 22W 2512 | RCP2512B1K00JEB.pdf | |
![]() | EXB-V4V434JV | RES ARRAY 2 RES 430K OHM 0606 | EXB-V4V434JV.pdf | |
![]() | 4814P-T01-331LF | RES ARRAY 7 RES 330 OHM 14SOIC | 4814P-T01-331LF.pdf | |
![]() | CMF558K6600FHEB | RES 8.66K OHM 1/2W 1% AXIAL | CMF558K6600FHEB.pdf |