Fairchild Semiconductor FDN5632N_F085

FDN5632N_F085
제조업체 부품 번호
FDN5632N_F085
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
간단한 설명
MOSFET N-CH 60V 1.7A SSOT3
Datesheet 다운로드
다운로드
FDN5632N_F085 가격 및 조달

가능 수량

1150 조각

배송 오늘


창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 181.91797
우리의 가격
Quote by Email

수량

 

We are the stock Distributor of FDN5632N_F085, we specialize in all series Fairchild Semiconductor electronic components. FDN5632N_F085 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FDN5632N_F085, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
FDN5632N_F085 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
FDN5632N_F085 매개 변수
내부 부품 번호EIS-FDN5632N_F085
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)In Production
지위New & Unused, Original Sealed
규격서FDN5632N_F085
Molded Pkg, SUPERSOT, 3 Lead Drawing
PCN 설계/사양UIS/EAS DataSheet Chg 15/Oct/2015
PCN 포장Binary Year Code Marking 15/Jan/2014
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체Fairchild Semiconductor
계열자동차, AEC-Q101, PowerTrench®
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징논리 레벨 게이트
드레인 - 소스 전압(Vdss)60V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C1.7A(Ta)
Rds On(최대) @ Id, Vgs82m옴 @ 1.7A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)3V @ 250µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs12nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds475pF @ 15V
전력 - 최대1.1W
작동 온도-55°C ~ 150°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급 장치 패키지SuperSOT-3
표준 포장 3,000
다른 이름FDN5632N_F085TR
무게0.001 KG
신청Email for details
대체 부품 (교체)FDN5632N_F085
관련 링크FDN563, FDN5632N_F085 Datasheet, Fairchild Semiconductor Distributor
FDN5632N_F085 의 관련 제품
1F 6.3V Aluminum Capacitors Radial, Can - Screw Terminals 5 mOhm @ 120Hz CGS105U6R3X5L.pdf
TVS DIODE 54VWM 87.1VC SMC 1SMC54AT3G.pdf
VARISTOR 39V 800A 1812 B72580E250K62.pdf
Center Frequency 1710MHz Voltage Controlled Oscillator 0.3 ~ 4.7 V 2.5 ±2.5 dBm -15 dBc CVCO55BE-1660-1760.pdf
200k Ohm 1W PC Pins Panel Mount, Through Hole Trimmer Potentiometer Cermet 22 Turn Side Adjustment 3059P-1-204MLF.pdf
2.9nH Unshielded Thin Film Inductor 450mA 250 mOhm Max 0201 (0603 Metric) ATFC-0201HQ-2N9B-T.pdf
47nH Unshielded Multilayer Inductor 190mA 1.6 Ohm Max 0402 (1006 Metric) MHQ1005P47NHTD25.pdf
68µH Shielded Wirewound Inductor 670mA 370 mOhm Max Nonstandard P1166.683NLT.pdf
RES SMD 470 OHM 2% 5W 0505 RCP0505W470RGEA.pdf
RES SMD 1M OHM 5% 1/20W 0201 CRCW02011M00JNED.pdf
RES ARRAY 13 RES 3.3K OHM 14SOIC 767141332GPTR13.pdf
RES ARRAY 7 RES 1K OHM 14DIP MDP14031K00GE04.pdf