창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-FDN86246 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | FDN86246 Molded Pkg, SUPERSOT, 3 Lead Drawing | |
PCN 조립/원산지 | Wafer 6/8 Inch Addition 16/Jun/2014 | |
PCN 포장 | Binary Year Code Marking 15/Jan/2014 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
계열 | PowerTrench® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 150V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 1.6A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 261m옴 @ 1.6A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 5nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 225pF @ 75V | |
전력 - 최대 | 600mW | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
공급 장치 패키지 | SuperSOT-3 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | FDN86246-ND FDN86246TR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | FDN86246 | |
관련 링크 | FDN8, FDN86246 Datasheet, Fairchild Semiconductor Distributor |
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![]() | VJ0805D221MLXAJ | 220pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | VJ0805D221MLXAJ.pdf | |
![]() | ECS-110.5-20-7S-TR | 11.0592MHz ±30ppm 수정 20pF 60옴 -10°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SOJ, 9.40mm 피치 | ECS-110.5-20-7S-TR.pdf | |
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![]() | CPL2512T6R8M | 6.8µH Shielded Wirewound Inductor 450mA 910 mOhm Max Nonstandard | CPL2512T6R8M.pdf | |
![]() | SI8460BA-B-IS1 | General Purpose Digital Isolator 1000Vrms 6 Channel 150Mbps 25kV/µs (Typ) CMTI 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | SI8460BA-B-IS1.pdf | |
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![]() | AC0402FR-0756KL | RES SMD 56K OHM 1% 1/16W 0402 | AC0402FR-0756KL.pdf | |
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