Fairchild Semiconductor FDP027N08B_F102

FDP027N08B_F102
제조업체 부품 번호
FDP027N08B_F102
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
간단한 설명
MOSFET N-CH 80V 120A TO-220-3
Datesheet 다운로드
다운로드
FDP027N08B_F102 가격 및 조달

가능 수량

1860 조각

배송 오늘


창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 2,421.61900
우리의 가격
Quote by Email

수량

 

We are the stock Distributor of FDP027N08B_F102, we specialize in all series Fairchild Semiconductor electronic components. FDP027N08B_F102 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FDP027N08B_F102, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
FDP027N08B_F102 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
FDP027N08B_F102 매개 변수
내부 부품 번호EIS-FDP027N08B_F102
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)In Production
지위New & Unused, Original Sealed
규격서FDP027N08B_F102
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체Fairchild Semiconductor
계열PowerTrench®
포장튜브
부품 현황유효
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)80V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C120A(Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs2.7m옴 @ 100A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)4.5V @ 250µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs178nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds13530pF @ 40V
전력 - 최대246W
작동 온도-55°C ~ 175°C(TJ)
실장 유형스루홀
패키지/케이스TO-220-3
공급 장치 패키지TO-220-3
표준 포장 50
무게0.001 KG
신청Email for details
대체 부품 (교체)FDP027N08B_F102
관련 링크FDP027N, FDP027N08B_F102 Datasheet, Fairchild Semiconductor Distributor
FDP027N08B_F102 의 관련 제품
68µF 10V Aluminum - Polymer Capacitors Radial, Can - SMD 23 mOhm 2000 Hrs @ 105°C 10SVPC68MV.pdf
330µF 420V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In 2000 Hrs @ 105°C EKMW421VSN331MQ40S.pdf
390pF 200V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 방사 0.157" L x 0.098" W(4.00mm x 2.50mm) K391K15C0GK53L2.pdf
2.7pF 150V 세라믹 커패시터 M 0605(1613 미터법) 0.055" L x 0.055" W(1.40mm x 1.40mm) SQCAEM2R7BATME\500.pdf
0.022µF Film Capacitor 1250V (1.25kV) Polyester, Metallized Radial 0.827" L x 0.276" W (21.00mm x 7.00mm) ECQ-E12223JE.pdf
FUSE GLASS 500MA 250VAC 5X20MM BK/S506-V-500-R.pdf
TVS DIODE 200VWM 324VC SMB SMBJ200ATR.pdf
EMI FILTER 500VAC 10A DIN RAIL RTEN-5010D.pdf
3.9nH Unshielded Multilayer Inductor 300mA 150 mOhm Max 0805 (2012 Metric) CE201210-3N9J.pdf
RES SMD 76.8 OHM 0.1% 1/8W 0805 RT0805BRC0776R8L.pdf
RES SMD 12.7K OHM 0.1% 1/3W 1210 TNPW121012K7BEEN.pdf
RES 120 OHM 1/2W 10% AXIAL RC12KB120R.pdf