창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-FDP083N15A_F102 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | FDP083N15A_F102 | |
PCN 조립/원산지 | Wafer 6/8 Inch Addition 16/Jun/2014 | |
PCN 포장 | Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
계열 | PowerTrench® | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 150V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 83A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 8.3m옴 @ 75A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 84nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 6040pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 294W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-220-3 | |
표준 포장 | 50 | |
다른 이름 | FDP083N15A_F102-ND FDP083N15AF102 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | FDP083N15A_F102 | |
관련 링크 | FDP083N, FDP083N15A_F102 Datasheet, Fairchild Semiconductor Distributor |
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![]() | UB5C-10RF1 | RES 10 OHM 5W 1% AXIAL | UB5C-10RF1.pdf | |
![]() | CMF551K0000DHR6 | RES 1K OHM 1/2W 0.5% AXIAL | CMF551K0000DHR6.pdf | |
![]() | H8240RFZA | RES 240 OHM 1/4W 1% AXIAL | H8240RFZA.pdf |