창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-FDP090N10 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | FDP090N10 TO220B03 Pkg Drawing | |
PCN 설계/사양 | SOA curve 01/Jul/2013 | |
PCN 포장 | Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014 | |
카탈로그 페이지 | 1602 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
계열 | PowerTrench® | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 75A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 9m옴 @ 75A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4.5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 116nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 8225pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 208W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-220-3 | |
표준 포장 | 50 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | FDP090N10 | |
관련 링크 | FDP0, FDP090N10 Datasheet, Fairchild Semiconductor Distributor |
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![]() | MAL213665821E3 | 820µF 16V Aluminum Capacitors Radial, Can 7000 Hrs @ 105°C | MAL213665821E3.pdf | |
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![]() | SL1003A090C | GDT 90V 10KA | SL1003A090C.pdf | |
![]() | 425F11K048M0000 | 48MHz ±10ppm 수정 8pF 60옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 425F11K048M0000.pdf | |
![]() | DFEG10040D-6R8M=P3 | 6.8µH Shielded Inductor 6.4A 23 mOhm Max Nonstandard | DFEG10040D-6R8M=P3.pdf | |
![]() | SC3340F-330 | 33µH Unshielded Wirewound Inductor 3.3A 80 mOhm Max Nonstandard | SC3340F-330.pdf | |
![]() | RR0816P-1022-D-02C | RES SMD 10.2KOHM 0.5% 1/16W 0603 | RR0816P-1022-D-02C.pdf | |
![]() | RT1210WRB071K69L | RES SMD 1.69KOHM 0.05% 1/4W 1210 | RT1210WRB071K69L.pdf | |
![]() | TNPW2512121RBEEY | RES SMD 121 OHM 0.1% 1/2W 2512 | TNPW2512121RBEEY.pdf | |
![]() | MNR14E0ABJ243 | RES ARRAY 4 RES 24K OHM 1206 | MNR14E0ABJ243.pdf |