창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-FDP100N10 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | FDP100N10 TO220B03 Pkg Drawing | |
PCN 설계/사양 | SOA curve 01/Jul/2013 | |
카탈로그 페이지 | 1602 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
계열 | PowerTrench® | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 75A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 10m옴 @ 75A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4.5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 100nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 7300pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 208W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-220-3 | |
표준 포장 | 50 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | FDP100N10 | |
관련 링크 | FDP1, FDP100N10 Datasheet, Fairchild Semiconductor Distributor |
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25PX2200MEFC12.5X20 | 2200µF 25V Aluminum Capacitors Radial, Can 2000 Hrs @ 105°C | 25PX2200MEFC12.5X20.pdf | ||
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![]() | AS1PG-M3/85A | DIODE AVALANCHE 400V 1.5A DO220 | AS1PG-M3/85A.pdf | |
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![]() | CMF55105K00FKR670 | RES 105K OHM 1/2W 1% AXIAL | CMF55105K00FKR670.pdf | |
![]() | CMF5516K900BEEK | RES 16.9K OHM 1/2W 0.1% AXIAL | CMF5516K900BEEK.pdf | |
![]() | CMF5523K200BEEK | RES 23.2K OHM 1/2W 0.1% AXIAL | CMF5523K200BEEK.pdf | |
![]() | EZR32LG230F256R55G-B0R | IC RF TxRx + MCU 802.15.4 EZRadio 142MHz ~ 1.05GHz 64-VFQFN Exposed Pad | EZR32LG230F256R55G-B0R.pdf | |
![]() | SSCMRRN005PD3A3 | Pressure Sensor ±5 PSI (±34.47 kPa) Differential Male - 0.08" (1.93mm) Tube, Dual 12 b 8-SMD, J-Lead, Dual Ports, Same Side | SSCMRRN005PD3A3.pdf |