Fairchild Semiconductor FDP12N50

FDP12N50
제조업체 부품 번호
FDP12N50
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
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MOSFET N-CH 500V 11.5A TO-220
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내부 부품 번호EIS-FDP12N50
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)In Production
지위New & Unused, Original Sealed
규격서FDP12N50, FDPF12N50
TO220B03 Pkg Drawing
PCN 조립/원산지Description Chg 15/Feb/2016
카탈로그 페이지 1602 (KR2011-KO PDF)
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체Fairchild Semiconductor
계열UniFET™
포장튜브
부품 현황유효
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)500V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C11.5A(Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs650m옴 @ 6A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)5V @ 250µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs30nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds1315pF @ 25V
전력 - 최대165W
작동 온도-55°C ~ 150°C(TJ)
실장 유형스루홀
패키지/케이스TO-220-3
공급 장치 패키지TO-220-3
표준 포장 50
무게0.001 KG
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대체 부품 (교체)FDP12N50
관련 링크FDP1, FDP12N50 Datasheet, Fairchild Semiconductor Distributor
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