창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-FDP3652 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | FDB3652, FDP3652 TO220B03 Pkg Drawing | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Switches for Power Processing | |
PCN 포장 | Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014 | |
카탈로그 페이지 | 1600 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
계열 | PowerTrench® | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 새 설계에 권장하지 않음(NRND) | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 9A(Ta), 61A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 16m옴 @ 61A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 53nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2880pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 150W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-220-3 | |
표준 포장 | 50 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | FDP3652 | |
관련 링크 | FDP, FDP3652 Datasheet, Fairchild Semiconductor Distributor |
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![]() | VJ0805D221GLAAJ | 220pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | VJ0805D221GLAAJ.pdf | |
![]() | 0NLS001.T | FUSE CRTRDGE 1A 600VAC/DC NONSTD | 0NLS001.T.pdf | |
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![]() | BSPP3600YPVR | 600 VDC 3 POLE Y CONFIGURATION S | BSPP3600YPVR.pdf | |
![]() | MBRH15040RL | DIODE MODULE 40V 150A D-67 | MBRH15040RL.pdf | |
![]() | STB45N60DM2AG | MOSFET N-CH 600V 34A | STB45N60DM2AG.pdf | |
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![]() | S0603-271NH3E | 270nH Unshielded Wirewound Inductor 200mA 2.2 Ohm Max 0603 (1608 Metric) | S0603-271NH3E.pdf | |
![]() | SFR16S0009312FR500 | RES 93.1K OHM 1/2W 1% AXIAL | SFR16S0009312FR500.pdf | |
![]() | CP000515K00JE14 | RES 15K OHM 5W 5% AXIAL | CP000515K00JE14.pdf |