창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-FDP5800 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | FDP5800 TO220B03 Pkg Drawing | |
PCN 설계/사양 | SOA curve 01/Jul/2013 | |
PCN 포장 | Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014 | |
카탈로그 페이지 | 1602 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
계열 | PowerTrench® | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 14A(Ta), 80A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 6m옴 @ 80A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 145nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 9160pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 242W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-220-3 | |
표준 포장 | 50 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | FDP5800 | |
관련 링크 | FDP, FDP5800 Datasheet, Fairchild Semiconductor Distributor |
UVR1A223MRD6 | 22000µF 10V Aluminum Capacitors Radial, Can 2000 Hrs @ 85°C | UVR1A223MRD6.pdf | ||
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0603ZC331KAT2A | 330pF 10V 세라믹 커패시터 X7R 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.032" W(1.60mm x 0.81mm) | 0603ZC331KAT2A.pdf | ||
GRM1886T1H9R9DD01D | 9.9pF 50V 세라믹 커패시터 T2H 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | GRM1886T1H9R9DD01D.pdf | ||
0259003.T | FUSE BRD MNT 3A 125VAC/VDC RAD | 0259003.T.pdf | ||
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