창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-FDP61N20 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | FDP61N20 TO220B03 Pkg Drawing | |
PCN 조립/원산지 | Wafer Fabrication 04/Feb/2013 Description Chg 15/Feb/2016 | |
카탈로그 페이지 | 1602 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
계열 | UniFET™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 200V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 61A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 41m옴 @ 30.5A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 75nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3380pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 417W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-220-3 | |
표준 포장 | 50 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | FDP61N20 | |
관련 링크 | FDP6, FDP61N20 Datasheet, Fairchild Semiconductor Distributor |
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L34S1T2D15 | Current Sensor 1200A 1 Channel Hall Effect, Open Loop Bidirectional Module | L34S1T2D15.pdf | ||
NSCDRRN160MGUNV | Pressure Sensor 2.3 PSI (15.86 kPa) Vented Gauge Male - 0.08" (1.93mm) Tube, Dual 0 mV ~ 75.5 mV (5V) 8-DIP (0.524", 13.30mm), Dual Ports, Same Side | NSCDRRN160MGUNV.pdf |