Fairchild Semiconductor FDP61N20
- 제조업체 부품 번호
- FDP61N20
- 제조업 자
- Fairchild Semiconductor
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 200V 61A TO-220
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
FDP61N20 가격 및 조달
가능 수량
3085 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 1,388.10670
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of FDP61N20, we specialize in all series Fairchild Semiconductor electronic components. FDP61N20 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FDP61N20, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- FDP61N20 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
FDP61N20 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-FDP61N20 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | FDP61N20 TO220B03 Pkg Drawing | |
| PCN 조립/원산지 | Wafer Fabrication 04/Feb/2013 Description Chg 15/Feb/2016 | |
| 카탈로그 페이지 | 1602 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
| 계열 | UniFET™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 200V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 61A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 41m옴 @ 30.5A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 75nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3380pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 417W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220-3 | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | FDP61N20 | |
| 관련 링크 | FDP6, FDP61N20 Datasheet, Fairchild Semiconductor Distributor | |
FDP61N20 의 관련 제품
 | 380LX122M080H022 | SNAPMOUNTS | 380LX122M080H022.pdf | |
 | C0603C680K4GACTU | 68pF 16V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | C0603C680K4GACTU.pdf | |
| VJ0805D131KXCAJ | 130pF 200V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | VJ0805D131KXCAJ.pdf | |
 | ABM3-30.000MHZ-B4Y-T | 30MHz ±30ppm 수정 18pF 25옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD, 무연(DFN, LCC) | ABM3-30.000MHZ-B4Y-T.pdf | |
 | MMBZ5268BLT1G | DIODE ZENER 82V 225MW SOT23-3 | MMBZ5268BLT1G.pdf | |
| VKO55-12IO7 | RECT BRIDGE 1PH 1200V FO-T-A | VKO55-12IO7.pdf | |
 | LQH32CN100K23L | 10µH Unshielded Wirewound Inductor 300mA 572 mOhm Max 1210 (3225 Metric) | LQH32CN100K23L.pdf | |
 | IHSM7832ER103L | 10mH Unshielded Inductor 160mA 24.6 Ohm Max Nonstandard | IHSM7832ER103L.pdf | |
| CRGS0603J1M0 | RES SMD 1M OHM 5% 1/4W 0603 | CRGS0603J1M0.pdf | |
.jpg) | RT0805WRD076K65L | RES SMD 6.65KOHM 0.05% 1/8W 0805 | RT0805WRD076K65L.pdf | |
.jpg) | RT2512BKE0753K6L | RES SMD 53.6K OHM 0.1% 3/4W 2512 | RT2512BKE0753K6L.pdf | |
| Y118918K1110TR1R | RES 18.111KOHM 0.6W 0.01% RADIAL | Y118918K1110TR1R.pdf |
