창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-FDP8441 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | FDP8441 TO220B03 Pkg Drawing | |
카탈로그 페이지 | 1600 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
계열 | PowerTrench® | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 40V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 23A(Ta), 80A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 2.7m옴 @ 80A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 280nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 15000pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 300W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-220AB | |
표준 포장 | 50 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | FDP8441 | |
관련 링크 | FDP, FDP8441 Datasheet, Fairchild Semiconductor Distributor |
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![]() | CGJ6M3X7S2A335K200AA | 3.3µF 100V 세라믹 커패시터 X7S 1210(3225 미터법) 0.126" L x 0.098" W(3.20mm x 2.50mm) | CGJ6M3X7S2A335K200AA.pdf | |
![]() | VJ2220A182JBGAT4X | 1800pF 1000V(1kV) 세라믹 커패시터 C0G, NP0 2220(5750 미터법) 0.226" L x 0.200" W(5.74mm x 5.08mm) | VJ2220A182JBGAT4X.pdf | |
![]() | GRM3196R2A511JZ01D | 510pF 100V 세라믹 커패시터 R2H 1206(3216 미터법) 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) | GRM3196R2A511JZ01D.pdf | |
![]() | CD30FD512FO3F | 5100pF Mica Capacitor 500V Radial 0.780" L x 0.280" W (19.80mm x 7.10mm) | CD30FD512FO3F.pdf | |
![]() | 8Z-12.000MAHK-T | CRYSTAL 12.000MHZ 20PF SMT | 8Z-12.000MAHK-T.pdf | |
![]() | SL23HE3_A/I | DIODE SCHOTTKY 30V 2A DO214AA | SL23HE3_A/I.pdf | |
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![]() | MDP14015K10GE04 | RES ARRAY 13 RES 5.1K OHM 14DIP | MDP14015K10GE04.pdf | |
![]() | CMF5519K100DHEA | RES 19.1K OHM 1/2W 0.5% AXIAL | CMF5519K100DHEA.pdf | |
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