창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-FDPF18N20FT_G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | FDPF18N20FT_G | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
계열 | UniFET™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 200V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 18A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 140m옴 @ 9A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 26nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1180pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 35W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 풀팩(Full Pack) | |
공급 장치 패키지 | TO-220F-3 | |
표준 포장 | 50 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | FDPF18N20FT_G | |
관련 링크 | FDPF18, FDPF18N20FT_G Datasheet, Fairchild Semiconductor Distributor |
VJ0402Y222KNAAJ | 2200pF 50V 세라믹 커패시터 X7R 0402(1005 미터법) 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) | VJ0402Y222KNAAJ.pdf | ||
VJ1812A100KBGAT4X | 10pF 1000V(1kV) 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1812(4532 미터법) 0.183" L x 0.126" W(4.65mm x 3.20mm) | VJ1812A100KBGAT4X.pdf | ||
SA101A131JAA | 130pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 축방향 0.100" Dia x 0.170" L(2.54mm x 4.32mm) | SA101A131JAA.pdf | ||
SR302C104JAT | 0.10µF 200V 세라믹 커패시터 X7R 방사 0.300" L x 0.150" W(7.62mm x 3.81mm) | SR302C104JAT.pdf | ||
660C20ACD22 | 2200pF 20000V(20kV) 세라믹 커패시터 X7R 축방향 1.457" Dia x 0.709" L(37.00mm x 18.00mm) | 660C20ACD22.pdf | ||
170M5760 | FUSE SQ 500A 700VAC RECTANGULAR | 170M5760.pdf | ||
170M5974 | FUSE 700A 1000V 2KN/110 AR UR | 170M5974.pdf | ||
FXO-HC530-48 | 48MHz HCMOS XO (Standard) Oscillator Surface Mount 3.3V 35mA Enable/Disable | FXO-HC530-48.pdf | ||
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MHQ0402P4N3JT000 | 4.3nH Unshielded Multilayer Inductor 200mA 700 mOhm Max 01005 (0402 Metric) | MHQ0402P4N3JT000.pdf | ||
RMCF2010FT53R6 | RES SMD 53.6 OHM 1% 3/4W 2010 | RMCF2010FT53R6.pdf | ||
CMF6054K900FHEA | RES 54.9K OHM 1W 1% AXIAL | CMF6054K900FHEA.pdf |