창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-FDS3672 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | FDS3672 | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Switches for Power Processing | |
PCN 설계/사양 | Mold Compound 12/Dec/2007 | |
카탈로그 페이지 | 1598 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
계열 | PowerTrench® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 7.5A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 23m옴 @ 7.5A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 37nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2015pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 2.5W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | |
공급 장치 패키지 | 8-SOIC | |
표준 포장 | 2,500 | |
다른 이름 | FDS3672TR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | FDS3672 | |
관련 링크 | FDS, FDS3672 Datasheet, Fairchild Semiconductor Distributor |
UPJ2V3R3MPD1TD | 3.3µF 350V Aluminum Capacitors Radial, Can 5000 Hrs @ 105°C | UPJ2V3R3MPD1TD.pdf | ||
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![]() | RCP1206W62R0GS2 | RES SMD 62 OHM 2% 11W 1206 | RCP1206W62R0GS2.pdf | |
![]() | CMF203K9000GKEB | RES 3.9K OHM 1W 2% AXIAL | CMF203K9000GKEB.pdf | |
![]() | BGSA11GN10E6327XTSA1 | IC SWITCH RF 10TSNP | BGSA11GN10E6327XTSA1.pdf | |
![]() | P51-500-A-W-D-4.5V-000-000 | Pressure Sensor 500 PSI (3447.38 kPa) Absolute Male - 1/8" (3.18mm) NPT 0.5 V ~ 4.5 V Cylinder | P51-500-A-W-D-4.5V-000-000.pdf |