Fairchild Semiconductor FDS6612A

FDS6612A
제조업체 부품 번호
FDS6612A
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
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MOSFET N-CH 30V 8.4A 8-SOIC
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내부 부품 번호EIS-FDS6612A
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)In Production
지위New & Unused, Original Sealed
규격서FDS6612A
제품 교육 모듈High Voltage Switches for Power Processing
PCN 설계/사양Mold Compound 12/Dec/2007
카탈로그 페이지 1599 (KR2011-KO PDF)
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체Fairchild Semiconductor
계열PowerTrench®
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징논리 레벨 게이트
드레인 - 소스 전압(Vdss)30V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C8.4A(Ta)
Rds On(최대) @ Id, Vgs22m옴 @ 8.4A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)3V @ 250µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs7.6nC(5V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds560pF @ 15V
전력 - 최대1W
작동 온도-55°C ~ 150°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭)
공급 장치 패키지8-SO
표준 포장 2,500
다른 이름FDS6612ATR
무게0.001 KG
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대체 부품 (교체)FDS6612A
관련 링크FDS6, FDS6612A Datasheet, Fairchild Semiconductor Distributor
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