창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-FDS6679AZ | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | FDS6679AZ | |
PCN 설계/사양 | Mold Compound 12/Dec/2007 | |
PCN 조립/원산지 | Wafer 6/8 Inch Addition 16/Jun/2014 | |
카탈로그 페이지 | 1598 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
계열 | PowerTrench® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 13A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 9.3m옴 @ 13A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 96nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3845pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 1W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | |
공급 장치 패키지 | 8-SO | |
표준 포장 | 2,500 | |
다른 이름 | FDS6679AZTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | FDS6679AZ | |
관련 링크 | FDS6, FDS6679AZ Datasheet, Fairchild Semiconductor Distributor |
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![]() | SR151E332MAA | 3300pF 100V 세라믹 커패시터 Z5U 방사 0.150" L x 0.100" W(3.81mm x 2.54mm) | SR151E332MAA.pdf | |
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![]() | 445A35D30M00000 | 30MHz ±30ppm 수정 18pF 30옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD | 445A35D30M00000.pdf | |
![]() | 1PMT4099/TR13 | DIODE ZENER 6.8V 1W DO216 | 1PMT4099/TR13.pdf | |
![]() | STAC2942BW | TRANS RF PWR N-CH 350W STAC244B | STAC2942BW.pdf | |
![]() | ERJ-S02F4222X | RES SMD 42.2K OHM 1% 1/10W 0402 | ERJ-S02F4222X.pdf | |
![]() | CRCW2512576RFKEGHP | RES SMD 576 OHM 1% 1.5W 2512 | CRCW2512576RFKEGHP.pdf | |
![]() | YC162-FR-07620KL | RES ARRAY 2 RES 620K OHM 0606 | YC162-FR-07620KL.pdf | |
![]() | CAT16-561J8LF | RES ARRAY 8 RES 560 OHM 2506 | CAT16-561J8LF.pdf | |
![]() | RSF3JB5R60 | RES MO 3W 5.6 OHM 5% AXIAL | RSF3JB5R60.pdf | |
![]() | P51-3000-A-I-M12-4.5OVP-000-000 | Pressure Sensor 3000 PSI (20684.27 kPa) Absolute Male - 7/16" (11.11mm) UNF 0.5 V ~ 4.5 V Cylinder | P51-3000-A-I-M12-4.5OVP-000-000.pdf |