창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-FDS6911 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | FDS6911 | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Switches for Power Processing | |
PCN 설계/사양 | Mold Compound 12/Dec/2007 | |
카탈로그 페이지 | 1598 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 어레이 | |
제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
계열 | PowerTrench® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | 2 N-Chan(이중) | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 7.5A | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 13m옴 @ 7.5A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 24nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1130pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 900mW | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | |
공급 장치 패키지 | 8-SO | |
표준 포장 | 2,500 | |
다른 이름 | FDS6911TR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | FDS6911 | |
관련 링크 | FDS, FDS6911 Datasheet, Fairchild Semiconductor Distributor |
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![]() | ECW-F6514JL | 0.51µF Film Capacitor 630V Polypropylene (PP), Metallized Radial 1.102" L x 0.437" W (28.00mm x 11.10mm) | ECW-F6514JL.pdf | |
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![]() | FXO-HC535-1.8432 | 1.8432MHz HCMOS XO (Standard) Oscillator Surface Mount 3.3V 32mA Enable/Disable | FXO-HC535-1.8432.pdf | |
![]() | MURT20020 | DIODE MODULE 200V 200A 3TOWER | MURT20020.pdf | |
![]() | ELL-CTV5R6N | 5.6µH Shielded Wirewound Inductor 4.9A 11 mOhm Nonstandard | ELL-CTV5R6N.pdf | |
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![]() | 77083223P | RES ARRAY 4 RES 22K OHM 8SIP | 77083223P.pdf | |
![]() | P51-1000-A-J-D-20MA-000-000 | Pressure Sensor 1000 PSI (6894.76 kPa) Absolute Male - 3/8" (9.52mm) UNF 4 mA ~ 20 mA Cylinder | P51-1000-A-J-D-20MA-000-000.pdf |