창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-FDT86246L | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | FDT86246L Datasheet | |
애플리케이션 노트 | Introduction to Power MOSFETs MOSFET Basics PowerTrench MOSFET Datasheet Expanation FRFET in Synchronous Rectification AN-9005 Application Note Power MOSFET Avalanche Guideline | |
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | FDT86246L Material Declaration FDT86246L Cert of Compliance | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
계열 | PowerTrench® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 150V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 2A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 228m옴 @ 2A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 6.3nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 335pF @ 75V | |
전력 - 최대 | 1W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-261-4, TO-261AA | |
공급 장치 패키지 | SOT-223-4 | |
표준 포장 | 4,000 | |
다른 이름 | FDT86246LTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | FDT86246L | |
관련 링크 | FDT8, FDT86246L Datasheet, Fairchild Semiconductor Distributor |
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![]() | NKN3WSJR-73-0R33 | RES 0.33 OHM 3W 5% AXIAL | NKN3WSJR-73-0R33.pdf | |
![]() | CMF659K9100BEEK | RES 9.91K OHM 1.5W 0.1% AXIAL | CMF659K9100BEEK.pdf | |
![]() | CMF656K9800FKBF70 | RES 6.98K OHM 1.5W 1% AXIAL | CMF656K9800FKBF70.pdf |