창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-FDV301N_NB9V005 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | FDV301N Molded Pkg, SUPERSOT, 3 Lead Drawing | |
PCN 포장 | Binary Year Code Marking 15/Jan/2014 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 컷 테이프(CT) | |
부품 현황 | 판매 중단 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 25V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 220mA(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 4옴 @ 400mA, 4.5V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1.06V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 0.7nC(4.5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 9.5pF @ 10V | |
전력 - 최대 | 350mW | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
공급 장치 패키지 | SOT-23 | |
표준 포장 | 1 | |
다른 이름 | FDV301N_NB9V005CT | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | FDV301N_NB9V005 | |
관련 링크 | FDV301N, FDV301N_NB9V005 Datasheet, Fairchild Semiconductor Distributor |
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![]() | C1812C224K5RALTU | 0.22µF 50V 세라믹 커패시터 X7R 1812(4532 미터법) 0.177" L x 0.126" W(4.50mm x 3.20mm) | C1812C224K5RALTU.pdf | |
![]() | 18125C184KAT2A | 0.18µF 50V 세라믹 커패시터 X7R 1812(4532 미터법) 0.180" L x 0.126" W(4.57mm x 3.20mm) | 18125C184KAT2A.pdf | |
![]() | SQCB7A1R8CAJME | 1.8pF 500V 세라믹 커패시터 A 1111(2828 미터법) 0.110" L x 0.110" W(2.79mm x 2.79mm) | SQCB7A1R8CAJME.pdf | |
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![]() | HLMP-P505-G0011 | Green 569nm LED Indication - Discrete 2.1V 2-SMD, Gull Wing | HLMP-P505-G0011.pdf | |
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![]() | NR3010T1R5N | 1.5µH Shielded Wirewound Inductor 1.3A 96 mOhm Max Nonstandard | NR3010T1R5N.pdf | |
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![]() | PAT0805E55R6BST1 | RES SMD 55.6 OHM 0.1% 1/5W 0805 | PAT0805E55R6BST1.pdf | |
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