Fairchild Semiconductor FDZ663P
- 제조업체 부품 번호
- FDZ663P
- 제조업 자
- Fairchild Semiconductor
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET P-CH 20V 2.7A 4-WLCSP
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
FDZ663P 가격 및 조달
가능 수량
1150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 266.87232
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of FDZ663P, we specialize in all series Fairchild Semiconductor electronic components. FDZ663P can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FDZ663P, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- FDZ663P 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
FDZ663P 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-FDZ663P | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | FDZ663P | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
| 계열 | PowerTrench® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트, 1.5V 구동 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 2.7A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 134m옴 @ 2A, 4.5V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1.2V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 8.2nC(4.5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 525pF @ 10V | |
| 전력 - 최대 | 400mW | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 4-XFBGA, WLCSP | |
| 공급 장치 패키지 | 4-WLCSP(0.80x0.80) | |
| 표준 포장 | 5,000 | |
| 다른 이름 | FDZ663P-ND FDZ663PTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | FDZ663P | |
| 관련 링크 | FDZ, FDZ663P Datasheet, Fairchild Semiconductor Distributor | |
FDZ663P 의 관련 제품
 | ESMQ351VSN821MA45S | 820µF 350V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In 2000 Hrs @ 85°C | ESMQ351VSN821MA45S.pdf | |
 | MAL213829109E3 | 10µF 100V Aluminum Capacitors Axial, Can 11 Ohm @ 100kHz 2000 Hrs @ 105°C | MAL213829109E3.pdf | |
-1.4.jpg) | CGA4J3X7T2E104K125AA | 0.10µF 250V 세라믹 커패시터 X7T 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | CGA4J3X7T2E104K125AA.pdf | |
 | 06035C103MA76A | 10000pF 50V 세라믹 커패시터 X7R 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.032" W(1.60mm x 0.81mm) | 06035C103MA76A.pdf | |
 | TRJA155M035RRJ | 1.5µF Molded Tantalum Capacitors 35V 1206 (3216 Metric) 3.1 Ohm 0.126" L x 0.063" W (3.20mm x 1.60mm) | TRJA155M035RRJ.pdf | |
 | 2027-15-BT1LF | GDT 150V 15% 10KA THROUGH HOLE | 2027-15-BT1LF.pdf | |
 | GL41A-E3/96 | DIODE GEN PURP 50V 1A DO213AB | GL41A-E3/96.pdf | |
 | 1008R-152F | 1.5µH Unshielded Inductor 548mA 500 mOhm Max 2-SMD | 1008R-152F.pdf | |
 | ESR10EZPJ393 | RES SMD 39K OHM 5% 0.4W 0805 | ESR10EZPJ393.pdf | |
.jpg) | RT0402FRD0722R1L | RES SMD 22.1 OHM 1% 1/16W 0402 | RT0402FRD0722R1L.pdf | |
 | CMF558K8800BER6 | RES 8.88K OHM 1/2W 0.1% AXIAL | CMF558K8800BER6.pdf | |
 | ADL5506ACBZ-R7 | RF Detector IC General Purpose 30MHz ~ 4.5GHz -45dBm ~ 5dBm ±1dB 6-UFBGA, WLCSP | ADL5506ACBZ-R7.pdf |
