창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-FQA11N90_F109 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | FQA11N90_F109 | |
PCN 설계/사양 | Heat Sink Drawing Update 11/Feb/2014 | |
PCN 조립/원산지 | Assembly Site Transfer 06/Apr/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
계열 | QFET® | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 900V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 11.4A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 960m옴 @ 5.7A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 94nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3500pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 300W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-3P-3, SC-65-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-3PN | |
표준 포장 | 30 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | FQA11N90_F109 | |
관련 링크 | FQA11N, FQA11N90_F109 Datasheet, Fairchild Semiconductor Distributor |
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![]() | ERJ-P6WF61R9V | RES SMD 61.9 OHM 1% 1/2W 0805 | ERJ-P6WF61R9V.pdf | |
![]() | RT0603WRD07422RL | RES SMD 422 OHM 0.05% 1/10W 0603 | RT0603WRD07422RL.pdf | |
SBCHE11220RJ | RES 220 OHM 11W 5% AXIAL | SBCHE11220RJ.pdf | ||
![]() | CMF651K5000FKEK | RES 1.5K OHM 1.5W 1% AXIAL | CMF651K5000FKEK.pdf |