창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-FQB11N40CTM | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | FQB11N40C | |
PCN 설계/사양 | Description Chg 01/Apr/2016 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
계열 | QFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 400V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 10.5A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 530m옴 @ 5.25A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 35nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1090pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 135W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
공급 장치 패키지 | D2PAK | |
표준 포장 | 800 | |
다른 이름 | FQB11N40CTM-ND FQB11N40CTMTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | FQB11N40CTM | |
관련 링크 | FQB11, FQB11N40CTM Datasheet, Fairchild Semiconductor Distributor |
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CB2016T2R2M | 2.2µH Unshielded Wirewound Inductor 1A 169 mOhm Max 0806 (2016 Metric) | CB2016T2R2M.pdf | ||
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![]() | ERJ-S03J202V | RES SMD 2K OHM 5% 1/10W 0603 | ERJ-S03J202V.pdf | |
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![]() | MBB02070C1622DCT00 | RES 16.2K OHM 0.6W 0.5% AXIAL | MBB02070C1622DCT00.pdf | |
![]() | CA000218R00KE66 | RES 18 OHM 2W 10% AXIAL | CA000218R00KE66.pdf | |
![]() | P51-3000-S-Y-MD-20MA-000-000 | Pressure Sensor 3000 PSI (20684.27 kPa) Sealed Gauge Female - 7/16" (11.11mm) UNF 4 mA ~ 20 mA Cylinder | P51-3000-S-Y-MD-20MA-000-000.pdf |