Fairchild Semiconductor FQB22P10TM_F085
- 제조업체 부품 번호
- FQB22P10TM_F085
- 제조업 자
- Fairchild Semiconductor
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET P-CH 100V 22A D2PAK
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
FQB22P10TM_F085 가격 및 조달
가능 수량
1150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 990.24458
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of FQB22P10TM_F085, we specialize in all series Fairchild Semiconductor electronic components. FQB22P10TM_F085 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FQB22P10TM_F085, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- FQB22P10TM_F085 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
FQB22P10TM_F085 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-FQB22P10TM_F085 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | FQB22P10TM_F085 | |
| 비디오 파일 | Driving Automotive Technology | |
| 주요제품 | One-Stop Automotive Shop | |
| PCN 설계/사양 | Description Chg 01/Apr/2016 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
| 계열 | 자동차, AEC-Q101, QFET® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 22A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 125m옴 @ 11A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 50nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1500pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 3.75W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
| 공급 장치 패키지 | TO-263-2 | |
| 표준 포장 | 800 | |
| 다른 이름 | FQB22P10TM_F085TR FQB22P10TMF085 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | FQB22P10TM_F085 | |
| 관련 링크 | FQB22P1, FQB22P10TM_F085 Datasheet, Fairchild Semiconductor Distributor | |
FQB22P10TM_F085 의 관련 제품
 | LGX2D391MELZ30 | 390µF 200V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In 5000 Hrs @ 105°C | LGX2D391MELZ30.pdf | |
-Kemet.jpg) | C1206C560JDGACTU | 56pF 1000V(1kV) 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1206(3216 미터법) 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) | C1206C560JDGACTU.pdf | |
 | VJ0603D820JLBAJ | 82pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | VJ0603D820JLBAJ.pdf | |
 | VJ0805D221FXPAT | 220pF 250V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | VJ0805D221FXPAT.pdf | |
 | 416F406X2ITT | 40.61MHz ±15ppm 수정 6pF 100옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F406X2ITT.pdf | |
| SIT8008BI-22-33S-25.000000D | OSC XO 3.3V 25MHZ ST | SIT8008BI-22-33S-25.000000D.pdf | |
 | 1812-684G | 680µH Unshielded Inductor 82mA 30 Ohm Max 2-SMD | 1812-684G.pdf | |
 | CNY17-3-W60E | Optoisolator Transistor with Base Output 5000Vrms 1 Channel 6-DIP | CNY17-3-W60E.pdf | |
 | PLTT0805Z2101AGT5 | RES SMD 2.1K OHM 0.05% 1/4W 0805 | PLTT0805Z2101AGT5.pdf | |
 | UB3C-3R9F8 | RES 3.9 OHM 3W 1% AXIAL | UB3C-3R9F8.pdf | |
| Y407810K0000B0L | RES 10K OHM .3W .1% RADIAL | Y407810K0000B0L.pdf | |
 | AT30TSE002B-MAH-T | SENSOR TEMP I2C/SMBUS 8WDFN | AT30TSE002B-MAH-T.pdf |
