Fairchild Semiconductor FQB6N80TM

FQB6N80TM
제조업체 부품 번호
FQB6N80TM
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
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MOSFET N-CH 800V 5.8A D2PAK
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내부 부품 번호EIS-FQB6N80TM
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)In Production
지위New & Unused, Original Sealed
규격서FQB6N80
제품 교육 모듈High Voltage Switches for Power Processing
PCN 설계/사양Description Chg 01/Apr/2016
PCN 포장Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체Fairchild Semiconductor
계열QFET®
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)800V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C5.8A(Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs1.95옴 @ 2.9A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)5V @ 250µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs31nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds1500pF @ 25V
전력 - 최대3.13W
작동 온도-55°C ~ 150°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB
공급 장치 패키지TO-263-2
표준 포장 800
다른 이름FQB6N80TM-ND
FQB6N80TMTR
무게0.001 KG
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대체 부품 (교체)FQB6N80TM
관련 링크FQB6, FQB6N80TM Datasheet, Fairchild Semiconductor Distributor
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