Fairchild Semiconductor FQB8N60CTM
- 제조업체 부품 번호
- FQB8N60CTM
- 제조업 자
- Fairchild Semiconductor
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 600V 7.5A D2PAK
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
FQB8N60CTM 가격 및 조달
가능 수량
1150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 1,105.20375
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of FQB8N60CTM, we specialize in all series Fairchild Semiconductor electronic components. FQB8N60CTM can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FQB8N60CTM, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- FQB8N60CTM 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
FQB8N60CTM 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-FQB8N60CTM | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | FQB8N60C, FQI8N60C | |
| 제품 교육 모듈 | High Voltage Switches for Power Processing | |
| PCN 설계/사양 | Passivation Material 26/June/2007 Description Chg 01/Apr/2016 | |
| PCN 포장 | Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
| 계열 | QFET® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 7.5A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1.2옴 @ 3.75A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 36nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1255pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 3.13W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
| 공급 장치 패키지 | TO-263(D2Pak) | |
| 표준 포장 | 800 | |
| 다른 이름 | FQB8N60CTM-ND FQB8N60CTMFSTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | FQB8N60CTM | |
| 관련 링크 | FQB8N, FQB8N60CTM Datasheet, Fairchild Semiconductor Distributor | |
FQB8N60CTM 의 관련 제품
 | K153K10X7RF53H5 | 0.015µF 50V 세라믹 커패시터 X7R 방사 0.142" L x 0.091" W(3.60mm x 2.30mm) | K153K10X7RF53H5.pdf | |
 | SA101A151KAC | 150pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 축방향 0.100" Dia x 0.170" L(2.54mm x 4.32mm) | SA101A151KAC.pdf | |
 | MKP385612016JPI2T0 | 12µF Film Capacitor 110V 160V Polypropylene (PP), Metallized Radial 1.634" L x 0.709" W (41.50mm x 18.00mm) | MKP385612016JPI2T0.pdf | |
-0.035-Thick.jpg) | ECS-2033-143-AU | 14.31818MHz CMOS XO (Standard) Oscillator Surface Mount 3.3V 7mA Enable/Disable | ECS-2033-143-AU.pdf | |
 | ASTMHTA-8.000MHZ-AR-E | 8MHz LVCMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 2.25 V ~ 3.63 V Enable/Disable | ASTMHTA-8.000MHZ-AR-E.pdf | |
 | RMPG06G-E3/53 | DIODE GPP 1A 400V 150NS MPG06 | RMPG06G-E3/53.pdf | |
| A190PE | DIODE GEN PURP 1.5KV 250A DO205 | A190PE.pdf | |
 | IPP65R110CFDXKSA1 | MOSFET N-CH 700V 31.2A TO220 | IPP65R110CFDXKSA1.pdf | |
 | P1812R-272K | 2.7µH Unshielded Inductor 800mA 288 mOhm Max 1812 (4532 Metric) | P1812R-272K.pdf | |
 | ERJ-8ENF91R0V | RES SMD 91 OHM 1% 1/4W 1206 | ERJ-8ENF91R0V.pdf | |
 | Y14730R02000D0W | RES SMD 0.02 OHM 0.5% 2W 3637 | Y14730R02000D0W.pdf | |
 | CRCW120691R0JNEAIF | RES SMD 91 OHM 5% 1/4W 1206 | CRCW120691R0JNEAIF.pdf |
