Fairchild Semiconductor FQB8N60CTM_WS

FQB8N60CTM_WS
제조업체 부품 번호
FQB8N60CTM_WS
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
간단한 설명
MOSFET N-CH 600V 7.5A
Datesheet 다운로드
다운로드
FQB8N60CTM_WS 가격 및 조달

가능 수량

1150 조각

배송 오늘


창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 782.82548
우리의 가격
Quote by Email

수량

 

We are the stock Distributor of FQB8N60CTM_WS, we specialize in all series Fairchild Semiconductor electronic components. FQB8N60CTM_WS can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FQB8N60CTM_WS, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
FQB8N60CTM_WS 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
FQB8N60CTM_WS 매개 변수
내부 부품 번호EIS-FQB8N60CTM_WS
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)In Production
지위New & Unused, Original Sealed
규격서FQB8N60C, FQI8N60C
PCN 설계/사양Description Chg 01/Apr/2016
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체Fairchild Semiconductor
계열QFET®
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)600V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C7.5A(Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs1.2옴 @ 3.75A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)4V @ 250µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs36nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds1255pF @ 25V
전력 - 최대3.13W
작동 온도-55°C ~ 150°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB
공급 장치 패키지TO-263(D2Pak)
표준 포장 800
다른 이름FQB8N60CTM_WSTR
무게0.001 KG
신청Email for details
대체 부품 (교체)FQB8N60CTM_WS
관련 링크FQB8N6, FQB8N60CTM_WS Datasheet, Fairchild Semiconductor Distributor
FQB8N60CTM_WS 의 관련 제품
33µF 100V Aluminum Capacitors Radial, Can 2.55 Ohm @ 120Hz 672D336F100DM4D.pdf
130pF 250V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) VJ0805D131KXPAJ.pdf
5100pF Film Capacitor 800V Polypropylene (PP), Metallized Radial 0.709" L x 0.217" W (18.00mm x 5.50mm) ECW-H8512HL.pdf
FUSE SQ 400A 700VAC RECTANGULAR 170M3069.pdf
TVS DIODE 210VWM 366.98VC P600 5KP210-B.pdf
OSC XO 3.3V 11.0592MHZ OE SIT8008AI-21-33E-11.059200E.pdf
12.288MHz LVCMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 2.25 V ~ 3.63 V Enable/Disable ASTMHTD-12.288MHZ-AR-E-T3.pdf
270µH Unshielded Wirewound Inductor 65mA 12.5 Ohm Max 1210 (3225 Metric) LQH32MN271K23L.pdf
RES SMD 510 OHM 5% 1/4W 1206 RC3216J511CS.pdf
RES SMD 0.096 OHM 5% 1/5W 0603 ERJ-L03UJ96MV.pdf
RES SMD 560 OHM 5% 1/4W 1206 KTR18EZPJ561.pdf
RES ARRAY 10 RES 10K OHM 20SSOP OSOPA1002AT1.pdf