Fairchild Semiconductor FQD5N60CTM
,-SC-63.jpg)
- 제조업체 부품 번호
- FQD5N60CTM
- 제조업 자
- Fairchild Semiconductor
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 600V 2.8A DPAK
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
FQD5N60CTM 가격 및 조달
가능 수량
21150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 369.91469
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of FQD5N60CTM, we specialize in all series Fairchild Semiconductor electronic components. FQD5N60CTM can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FQD5N60CTM, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- FQD5N60CTM 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
FQD5N60CTM 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-FQD5N60CTM | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | FQD5N60C, FQU5N60C | |
| 제품 교육 모듈 | High Voltage Switches for Power Processing | |
| PCN 설계/사양 | Passivation Material 26/June/2007 Description Chg 01/Apr/2016 | |
| 카탈로그 페이지 | 1601 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
| 계열 | QFET® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 2.8A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 2.5옴 @ 1.4A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 19nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 670pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 2.5W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
| 공급 장치 패키지 | D-Pak | |
| 표준 포장 | 2,500 | |
| 다른 이름 | FQD5N60CTM-ND FQD5N60CTMTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | FQD5N60CTM | |
| 관련 링크 | FQD5N, FQD5N60CTM Datasheet, Fairchild Semiconductor Distributor | |
FQD5N60CTM 의 관련 제품
-55.jpg) | C1608C0G1H4R7B | 4.7pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | C1608C0G1H4R7B.pdf | |
 | PESD24VS2UQ,115 | TVS DIODE 24VWM 70VC SOT663 | PESD24VS2UQ,115.pdf | |
 | SIT1602BI-12-33E-40.000000G | OSC XO 3.3V 40MHZ | SIT1602BI-12-33E-40.000000G.pdf | |
 | BAS116V-7 | DIODE ARRAY GP 85V 215MA SOT563 | BAS116V-7.pdf | |
| T620063004DN | SCR PHASE CTRL MOD 600V 300A | T620063004DN.pdf | |
| L704GD | Green LED Indication - Discrete 2.2V Radial | L704GD.pdf | |
 | IMC1210RM100J | 10µH Unshielded Wirewound Inductor 189mA 2.1 Ohm Max 1210 (3225 Metric) | IMC1210RM100J.pdf | |
| Y162770K0000A0W | RES SMD 70K OHM 0.05% 1/2W 2010 | Y162770K0000A0W.pdf | |
 | 15FR070 | RES 0.07 OHM 5W 1% AXIAL | 15FR070.pdf | |
 | HMC468ALP3ETR | RF Attenuator 7dB ±0.4dB 0 ~ 6GHz 50 Ohm 657mW 16-VFQFN Exposed Pad | HMC468ALP3ETR.pdf | |
| P51-1500-A-M-MD-4.5V-000-000 | Pressure Sensor 1500 PSI (10342.14 kPa) Absolute Male - M10 x 1.0 0.5 V ~ 4.5 V Cylinder | P51-1500-A-M-MD-4.5V-000-000.pdf | |
| E2E-X7D2-M1GJ-T 0.3M | Inductive Proximity Sensor 0.276" (7mm) IP67 Cylinder, Threaded - M18 | E2E-X7D2-M1GJ-T 0.3M.pdf |
