창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-FQD5N60CTM | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | FQD5N60C, FQU5N60C | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Switches for Power Processing | |
PCN 설계/사양 | Passivation Material 26/June/2007 Description Chg 01/Apr/2016 | |
카탈로그 페이지 | 1601 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
계열 | QFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 2.8A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 2.5옴 @ 1.4A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 19nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 670pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 2.5W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
공급 장치 패키지 | D-Pak | |
표준 포장 | 2,500 | |
다른 이름 | FQD5N60CTM-ND FQD5N60CTMTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | FQD5N60CTM | |
관련 링크 | FQD5N, FQD5N60CTM Datasheet, Fairchild Semiconductor Distributor |
![]() | 109LMB050M2EF | ELECTROLYTIC | 109LMB050M2EF.pdf | |
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![]() | SMCG100CAHE3/9AT | TVS DIODE 100VWM 162VC SMC | SMCG100CAHE3/9AT.pdf | |
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![]() | RC0805DR-07210KL | RES SMD 210K OHM 0.5% 1/8W 0805 | RC0805DR-07210KL.pdf | |
![]() | PAT0603E7060BST1 | RES SMD 706 OHM 0.1% 0.15W 0603 | PAT0603E7060BST1.pdf | |
![]() | CRCW0402294RFHEDP | RES SMD 294 OHM 1% 1/16W 0402 | CRCW0402294RFHEDP.pdf | |
![]() | ORNV50025002UF | RES NETWORK 5 RES 50K OHM 8SOIC | ORNV50025002UF.pdf | |
![]() | CMF55178R00BHBF | RES 178 OHM 1/2W 0.1% AXIAL | CMF55178R00BHBF.pdf |